可控硅模块(semiconductormodule)

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductormodule）。早是在1970年由西门康公司将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

可控硅模块的优点体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装；结构重复性好，装置的机械设计可以简化，价格比分立器件低等诸多优点，因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧，并因此得到长足发展。

可控硅模块的主要参数介绍

可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯、等场合作用大，但是，在实际应用中，仍然有人对可控硅模块不是特别了解，今天，小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。

可控硅模块的主要参数：

(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

(2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

(3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

(4) 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的阳极正向电流。

(5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的控制极电流和电压。

可控硅模块失控是怎么回事?

可控硅模块失控是怎么回事？

可控硅模块也被称之为功率半导体模块，体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单，便于维修和安装，具有诸多优点，深受用户青睐。但是，在实际应用中，可控硅模块有时也会因为各种原因失控，那么，导致可控硅模块失控的原因有哪些呢？

首先，一个原因，可能就是可控硅的正向阻断力降低，比如说在日常使用中，可控硅模块长时间安放不用，同时，又因为密封不好，很可能会受潮，这种情况下的正向阻断能力就会降低，如果降低到低于整流变压器的二次电压，可控硅模块就可能会失控了。

其次，一个原因往往就是电路中的维持电流过小所致，因为发电机转子是以电感为主的大电流负载，对于半控桥来说，电压过零之后，电流不是零，即使半控桥在电感负载侧设有续流管，不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅模块的管压降，电感上的电流除了大部分从续流管流过之外，仍然会有部分电流在原导通的可控硅过。

可控硅模块如何解决这些问题

可控硅模块有其自身的优点，但是在使用的过程中也会出现一些问题，比如晶闸管（可控硅）电路引起干扰的抑制，那么如何来解决这些问题呢？

我们可以从减少谐波和提高输入功率因数的措施着手，去解决上述出现的问题了：限制接入电网的晶闸管变流装置的容量，来保护其他设备的正常运行；尽可能采用脉波数高的变流装置；对于移相式变流装置，触发延迟角α不能用得太大；通过改变串并联电路来预制电路的干扰。