温度对微弧氧化的影响

微弧氧化与阳极氧化不同，所需温度范围较宽。一般为10―90度。温度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且温度高，会形成水气。微弧氧化现象及特点在阳极氧化过程中，当铝合金上施加的电压超过一定范围时，铝合金表面的氧化膜就会被击穿。一般建议在20―60度。由于微弧氧化以热能形式释放，所以液体温度上升较快，微弧氧化过程须配备容量较大的热交换制冷系统以控制槽液温度。所以微弧氧化过程中一定要控制好温度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技术、微弧氧化电源

微弧氧化技术是近年来发展起来的一种铝、镁合金表面陶瓷化处理技术，它是铝、镁合金在电解液中通过高压电场作用下的放电火花烧结，在其表面生成一层由α-Al2O3 和γ-Al2O3为主要成分并与基体形成冶金结合的氧化铝（或氧化镁）陶瓷层，氧化铝（或氧化镁）陶瓷层的高硬度、高阻抗和稳定性满足铝、镁合金防海水腐蚀和高温热蚀以及改善其耐磨性等。微弧氧化技术特点1、可处理任意大小工件可处理任意大小工件（超小，超大）可进行细长管（可处理任何长度工件）复杂异形件（如深盲孔内部）特殊材料特殊性能膜层制备等高难度研究工作。

微弧氧化

微弧氧化，是在电解质溶液中（一般是弱碱性溶液）施加高电压（直流、交流或脉冲）在材料表面原位生长陶瓷氧化膜的过程，该过程是物理放电与电化学氧化、等离子体氧化协同作用的结果。(2)随着电流密度的增加,击穿电压也升高,氧化工业铝型材表面粗糙度也增加。微弧氧化技术是在普通阳极氧化技术的基础上发展起来的，进一步提高电压，使电压超出法拉第区，达到氧化膜的击穿电压，就会在阳极出现火花放电现象，在材料表面形成陶瓷氧化膜，使等离子体氧化膜既有陶瓷膜的，又保持了阳极氧化膜与基体的结合力。