在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α，单位为1／℃。
c、霍尔元件的测量误差和补偿方法
1．零位误差及补偿方法
    零位误差是霍尔元件在加控制电流或不加外磁场时，而出现的霍尔电势称为零位误差。不平衡电势U0是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。
2．温度误差及其补偿
(1)利用输出回路并联电阻进行补偿
(2)利用输入回路的串联电阻进行补偿   
2 磁敏电阻器
一、磁阻效应
    当一载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现象被称为磁阻效应。当温度恒定时，在磁场内，磁阻与磁感应强度B的平方成正比。半导体材料的磁阻效应较为明显。
二、磁敏电阻
    磁敏电阻大多制成圆盘结构。这是因为磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。磁敏电阻的灵敏度一般是非线性的，且受温度影响较大，在使用磁敏电阻时需要考虑温度补偿。
3 磁敏二极管和磁敏三极管
一、磁敏二根管的结构和工作原理
    磁敏二极管是一个在P、N之间有一个较长的本征区I的PIN结型的的器件。并且本征区I的一面光滑，另一面打毛以利于电子 — 空穴的复合。
气敏传感器
2.1   (半导体)电阻型气敏传感器
从制造工艺上可把电阻型半导体气敏器件分为烧结型、薄膜型和厚膜型三类。
       烧结型 —— 半导体陶瓷
       薄膜型 —— 氧化物半导体薄膜
       厚膜型 —— 丝网印刷厚膜胶

2.2 非电阻型(电压控制型)气敏器件
    非电阻型气敏器件是利用MOS二极管的电容 — 电压特性的变化以及MOS场效应晶体管(MOSFET)的阈值电压的变化等物性而制成的气敏元件。

Siemens 6RA8212-6AA0

Siemens 6SE3126-8DJ40 

1FT5046-0AF71-1-Z 

SAM-DA-400-07B-P5N-E

6DS1310-8AA/4A-110 

Intec 787006 

HGP-25-A-B-SSK

46763-1817-1601327

KEN10/46718-1812-1596508

KEN10/46718-1131-1286916

FCU6-KB014 L5A71K28P12A FCU6-HD242-3 

Rexroth VT 11132-11/ R900030647

A16B-1100-0550/08B

ASD-A2-0721-U EK700-446-A0-00

Bosch CNC CP/MEM4 064971-202401 1070062860-105 069173-101401 064881-303401

Beckhoff CP6802-0000-0010 

6ES7511-1AL03-0AB0 

Siemens 6AV6545-5AD00-0BP0 

6FR1460-2TL

Siemens 6ES7313-5BF03-0AB0

6AV3607-1JC20-0AX2

SAM-DA-400-07B-P5N-E

VT-VSPA1-1-12/ R900033823

Siemens 6RB2000-0NA00

VADMI-70-LS-P /171055

6101-WXPS 

Ingersoll Rand Crab Valve 30848139 

1070075122-105 

SAM-DA-400-07B-P5N-E

0607453237 

6ES7532-5HF00-0AB0 

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