大量供应：高频MOS二级管模块。 IXFN38N100 Q2 IXFN44N100 Q2 DSEI2X61-12B DSEI36-06AS-TUB 1.二极管是将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。适用于高频和小功率的工作，也用作数字电路中的开关元件。 2.三极管简称晶体管，分为NPN型和PNP型两种，是最重要的一种半导体器件。它用于放大作用和开关作用。 3.MOS管也称为场效应管，是一种较新型的半导体器件。外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同。 普能晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的，到信号源必须提供一定的电流才能工作。 MOS管则是电压控制元件，它的输出电流决定于输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，这是它的突出特点。它广泛应用于放大电路和数字电路。 MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。 确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。