艺炫电子科技――mos管

E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，电子元器件价格，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考虑衬偏电压时）：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降――平带电压VF。

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体，例如大多数金属，其电阻率的数量级是10-7～10-8Ω・m；对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等，他们的电阻率在1010和1014Ω・m之间。半导体的电阻率介于两者之间，上海元器件，但其变化之大（大约13个数量级），客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论，一方面可以解释电阻率的起源，一方面可以相对准确的定义半导体。

艺炫电子科技――场效应管

场效应管是较新型的半导体材料，电子元器件厂家，利用电场效应来控制晶体管的电流，电子元器件厂家直销，因而得名。它的外型也是一个三极管，因此又称场效应三极管。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应三极管的结构来划分，它有结型场效应三极管和绝缘栅型场效应三极管之分

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