艺炫电子科技――mos管

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，电子元器件批发，漏极电流也为零，电子元器件厂家，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

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E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，南京元器件，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考虑衬偏电压时）：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降――平带电压VF。

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体，例如大多数金属，其电阻率的数量级是10-7～10-8Ω・m；对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等，电子元器件价格，他们的电阻率在1010和1014Ω・m之间。半导体的电阻率介于两者之间，但其变化之大（大约13个数量级），客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论，一方面可以解释电阻率的起源，一方面可以相对准确的定义半导体。

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