艺炫电子科技――MOS管

MOS管的散热，选用时，不仅仅是看通过的电流满足即可，要考虑热问题，特别是大电流情况下，散热更需要当心，因为散热是个持续恶化的过程，温度高，电阻大，电阻大，电子元器件价格，温度更高，所以散热需要特别注意。考虑到散热和安装过程关系密切，是在产品实际长时间工作，极限状态下，用热红外测一下，电子元器件批发，有一定余量。

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MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），沈阳元器件，主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

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功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别

不同功率半导体器件 ，电子元器件在线咨询，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件

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