艺炫电子科技――MOS管

MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，电子元器件在线咨询，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

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MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

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MOS管的散热，选用时，电子元器件厂家，不仅仅是看通过的电流满足即可，要考虑热问题，特别是大电流情况下，散热更需要当心，因为散热是个持续恶化的过程，大连元器件，温度高，电阻大，电阻大，电子元器件价格，温度更高，所以散热需要特别注意。考虑到散热和安装过程关系密切，是在产品实际长时间工作，极限状态下，用热红外测一下，有一定余量。

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