艺炫电子科技――MOS管

MOS管发热四大关键因素。

1.芯片发热，假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf

2.功率管发热，功率管的功耗分成两部分，开关损耗和导通损耗。

3.工作频率降频，输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。

4.电感或者变压器的选择，

半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。导电性可以由电阻率来反映。对于导体，例如大多数金属，其电阻率的数量级是10-7～10-8Ω・m；对于绝缘体例如氧化物薄膜、云母、玻璃、塑料等等，他们的电阻率在1010和1014Ω・m之间。半导体的电阻率介于两者之间，大功率mos管哪家好，但其变化之大（大约13个数量级），大功率mos管批发，客观上很难把电阻率当作判定材料的适当参数。这里我们引入固体能带理论，一方面可以解释电阻率的起源，一方面可以相对准确的定义半导体。

如何判断mos管工作状态，文中将会具体描述出来。mos管的工作状态一共有两种：增强型和耗尽型两类又有N沟道和P沟道之分。

mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属―绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，mos管，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的

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MOS管相比于三极管，大功率mos管厂家，开关速度快，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，最后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，也涉及嵌入式开发，对大小功率MOS管，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型

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