可控硅作为变频器之内不可缺少的主要配件之一已经广为人知，那么可控硅击穿的主要原因有哪些？

1、过压击穿：

过压击穿是 可控硅 击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。但关断时，贮存在电磁线圈中的电磁能通过触点间燃弧消耗掉，这将导致触点烧蚀，金属转移、沾结。如果经常发生 可控硅 击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。

2、过流与过热击穿：

其实过流击穿与过热击穿是一回事。较之常用的触点容量在3-5A的也有较大一点的型号如容量在7A、10A的差别也没有那么明显。过流击穿就是电流在通过 可控硅 芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。

3、过热击穿：

这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过 可控硅 额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的，主要检查进水温度是否过高(一般要求水温应在25℃以下，但不能超过35℃)，流量是否充足;对于采用风冷方式工作的，应检查风扇的转数是否正常，还有环境温度也不能太高等，但无论是风冷的还是水冷的，如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话，安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触，接触面要平整，不能有划痕或凹凸且不能有灰尘夹入，还要保证有足够且均匀的压力，特别是对水冷的可控硅，三个螺栓的拉力一定要均匀，并且还要经常检查和清理水垢，水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。用PLC进行开关量控制实例是很多的，冶金、机械、轻工、化工、纺织等等，几乎所有工业行业都需要用到它。

继电器触点的类型以及功率

1、继电器的触点额定负载能力应大于所控制电路的负载；

这是因为电磁继电器的额定负载属于纯电阻性负载，因此在选用时首先应该考虑被控制电路的特性而给予以不同的处理。

例如，负载为小功率的交流电动机时，继电器的触点负载应该高于所控制负载的20%以上来选取；G3VM-31QR：1常开，负载电压（）30V，连续负载电流（）1500mA，输入输出间耐压500Vrms，输出导通电阻（标准）0。又如负载为白炽灯时的纯电阻负载时，触点容量应该高于所控制负载的15%选取；再如负载纯电感性或者纯电容性负载电路时，继电器触点负载应该高于被控制负载电路的30%来选取。

2、继电器触点的类型；

继电器的触点类型包括单组触点、双组触点、多组触点、常开式触点、常闭式触点等等，在选用时，应该根据负载电路的需要来选择，而不可盲目地一味追求选择多组触点型的继电器。

光耦合器的输入/输出（I/O）所在的一侧的电路应受到保护，以防止任何一侧的潜在风险。尽管“地电平”电压一词听起来总是0 V，但不一定如此。5V 电源和220VAC 电源的接地电平可能会大不相同。直流继电器与交流继电器主要区别在于直流继电器线圈的电阻较大，匝数较多、体积较大。5V 电源观察到的接地电压不必与220VAC 的接地电压相同。

在这种情况下，连接不同来源的接地层可能很危险。即使将220VAC 并整流为5VDC，仍然不建议将地线的两端彼此连接。这样做会产生电干扰，这就是为什么光耦合器的两个I/O侧的接地电平始终保持电气断开的原因。

　　在许多应用中，感测交流电源的过零至关重要。例如，典型的功率因数校正系统测量有功功率和无功功率（两者均为总功率）之间的角度差。有功功率和无功功率之间的差异是通过监视电压和电流波的“零交叉”来测量的。 “零交叉”是电子，声学，数学和图像处理中常用的术语。二极管的工作原理及作用二极管工作原理：二极管是电子元件当中一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。零交叉表示波形切过其坐标轴的位置（即，如果您绘制了波形图）。

过零还表示以数学函数表示的波形何时从正变为负然后再次返回。请注意，某些频率测试电路的工作原理是监视交流电源波形中的零交叉。光电耦合器可用于感测交流电源的过零。光耦合器的响应时间仅为纳秒。它可以在零交叉点快速打开和关闭。

通过在交流电源上使用整流器和滤波器，可以从光耦合器获得数字信号。[vi]使用RC滤波器，可以根据需要改变输出波形。