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LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件:CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .以上信息由专业从事1260液相供应商的科鲁斯特于2024/5/15 6:14:00发布
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