IGBT(Insulated-GateBipolarTransistor)是一种电力电子器件,它的工作原理如下:当门极开路时,IGBT处于零栅压状态。当输入信号u1作用于CE结两端而导通电流Ic通过沟道流入SODR之间区域使电压Ug为负值并具有较大的漏泄流Id(图2a)。此时若减小或取消外施直流电源Vgs,因uo≈0及|Ud|=−Uid。因此由公式4可知Ids将保持不变;即不随外加vds的增大而成正比关系上升称之为饱和现象.这种现象是由id=βi+(1+gm/es)(ia_m+id)=i*的性质所决定的。
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