至少从20世纪50年开始，使用计算设备从多个传感器中分类数据并结合信息得出结论的想法已经存在。但这非常困难。大约在1960年，几位数学家开发了一套算法，以便让机器根据多个传感器的输入得出结论。这些滤波器还从噪声或其他来源中删除了无意义的数据。当然，不久之后军方就决定这种技术在其应用中有用。能够处理来自多个来源的输入并将其与存储的数据进行比较将使军方能够更好地跟踪和识别潜在的空中目标，甚至可以计算结果的确定性。凭借更好的计算机和传感器，该技术在不断发展。
CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。每个像元就是一个MOS电容器(大多为光敏二极管)，它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A～1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个MOS电容器。当有1束光线投射到MOS电容器上时，光子穿过透明电极及氧化层，进入P型Si衬底，衬底中处于价带的电子将吸收光子的能量而跃入导带。光子进入衬底时产生的电子跃迁形成电子－空穴对，电子－空穴对在外加电场的作用下，分别向电极的两端移动，这就是信号电荷。这些信号电荷储存在由电极形成的“势阱”中。
CMOS传感器的图像采集方式为主动式，感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出，但CCD传感器为被动式采集，需外加电压让每个象素中的电荷移动，而此外加电压通常需要达到12~18V；因此，CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外(需外加 power IC)，高驱动电压更使其功耗远高于CMOS传感器的水平。举例来说，OmniVision推出的OV7640(1/4英寸、VGA)，在 30 fps的速度下运行，功耗仅为40mW；而致力于低功耗CCD传感器的Sanyo公司推出的1/7英寸、CIF等级的产品，其功耗却仍保持在90mW 以上。因此CCD发热量比CMOS大，不能长时间在阳光下工作。
以上信息由专业从事CCD传感器厂家的台湾研新于2024/4/30 12:28:30发布
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